Toshiba U-MOSⅣ P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 30 V / 4,5 A 2,2 W, 6-Pin VS
- RS Best.-Nr.:
- 415-336
- Herst. Teile-Nr.:
- TPC6108(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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- 415-336
- Herst. Teile-Nr.:
- TPC6108(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | U-MOSⅣ | |
| Gehäusegröße | VS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 2,2 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie U-MOSⅣ | ||
Gehäusegröße VS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 2,2 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Höhe 0.7mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
MOSFET-P-Kanal, TPC-Serie, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba