Toshiba U-MOSIII TPCA8107-H(TE12L,Q,M) P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,5 A 2,8 W, 8-Pin SOP erweitert
- RS Best.-Nr.:
- 415-427
- Herst. Teile-Nr.:
- TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
- Marke:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,532 € | 2,66 € |
| 50 - 95 | 0,412 € | 2,06 € |
| 100 - 245 | 0,40 € | 2,00 € |
| 250 - 495 | 0,39 € | 1,95 € |
| 500 + | 0,382 € | 1,91 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 415-427
- Herst. Teile-Nr.:
- TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | SOP erweitert | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 2,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 5 V, 27 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | U-MOSIII | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße SOP erweitert | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Verlustleistung max. 2,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 5 V, 27 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie U-MOSIII | ||