Infineon HEXFET IRF8707PBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
495-871
Herst. Teile-Nr.:
IRF8707PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

12 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.35V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,2 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5mm

Breite

4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Serie

HEXFET

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 11A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF8707TRPBF


Dieser MOSFET ist auf Leistungsanwendungen zugeschnitten und verbessert den Wirkungsgrad und die thermische Leistung. Der niedrige Durchlasswiderstand und die minimale Gate-Ladung reduzieren sowohl die Leitungs- als auch die Schaltverluste erheblich, wodurch er sich für hocheffiziente DC-DC-Wandler in verschiedenen Anwendungen eignet. Das kompakte SOIC-Gehäuse erhöht die Vielseitigkeit und lässt sich leicht in beengte Räume integrieren.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedrige Gate-Ladung verringert die Schaltverluste in Anwendungen

• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 11 A erhöht die Leistung

• Hohe Temperaturtoleranz bis zu +150°C gewährleistet Zuverlässigkeit

• Niedriger Rds(on) verbessert die Gesamteffizienz

• N-Kanal-Konfiguration ermöglicht flexible Designs

• Vollständig charakterisiert für Lawinenspannung und -strom bietet zusätzliche Sicherheit

Anwendungsbereich


• Steuerung von MOSFETs in synchronen Abwärtswandlern

• Verwendung in isolierten DC-DC-Wandlern für Netzwerksysteme

• Energieverwaltungslösungen für Notebook-Prozessoren

• Implementierung in Automatisierungs- und Steuerungssystemen zur Leistungssteigerung

Wie sieht es mit der Eignung für Hochtemperaturumgebungen aus?


Der Baustein arbeitet effektiv bei Temperaturen von bis zu +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit unter den für Leistungsanwendungen typischen Hochtemperaturbedingungen.

Wie geht dieses Produkt mit der Verlustleistung um?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,5 W sorgt er für eine ausgeglichene Wärmeleistung und verringert das Risiko einer Überhitzung.

Kann es unterschiedliche Spannungen verarbeiten?


Ja, er verträgt eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und ist damit vielseitig einsetzbar.

Was ist die maximale Gate-Schwellenspannung?


Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 2,35 V, was die Kompatibilität mit einer Reihe von Treiberschaltungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf seine Leistung aus?


Der niedrige Drain-Source-On-Widerstand minimiert die Leitungsverluste, erhöht den Wirkungsgrad und reduziert die Wärmeentwicklung im Betrieb.