Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1 W,

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RS Best.-Nr.:
598-241
Herst. Teile-Nr.:
TN5325N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

450mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

4.2mm

Breite

4.2 mm

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip ist ein niedrigschwelliges, normalerweise ausgeschaltetes Gerät, das eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess verwendet. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten. Wie bei allen MOS-Strukturen ist das Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall.

Niedriger Schwellenwert

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Keine sekundäre Durchschaltung

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