ROHM RJ1 N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 40 A 89 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 646-551P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1R04BBHTL1
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.36mm | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.36mm | ||
Höhe 4.77mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 150 Volt und 40 Ampere Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein Hochleistungsgehäuse des Typs TO 263AB, eine bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der Beschränkungen für gefährliche Stoffe aus.
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet