Vishay SQ2308FES Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 2.3 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 653-059
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2308FES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQ2308FES-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SQ2308FES | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.15Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.64mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SQ2308FES | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.15Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.64mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Einfache MOSFETs der Serie SQ2308FES von Vishay, 60 V Drain-Quellenspannung, 2,3 A kontinuierlicher Drain-Strom - SQ2308FES-T1_GE3
Merkmale und Vorteile:
• 2,3 A Dauerstromkapazität unterstützt Lasten mittlerer Leistung
• 0,15 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste während des Betriebs
• 5,3 nC Gate-Ladung ermöglicht eine reaktionsschnelle Gate-Drive-Leistung
• Die Verlustleistung von 2 W ermöglicht eine zuverlässige thermische Handhabung in kleinen Gehäusen
• 20-V-Gate-Nennwert für gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in industriellen Automatisierungssteuerungen
• Wird für DC/DC-Umwandlungsstufen in kompakten Netzteilen verwendet
• Kann für Motortreiberstufen in kleinen elektromechanischen Systemen verwendet werden
• Wird mit Batteriemanagementkreisen für mittlere Strompfade verwendet
Welche Temperatur extremen Temperaturen kann es in anspruchsvollen Umgebungen tolerieren?
Wie viele Stifte hat das Gehäuse und wie wirkt sich das auf das Layout aus?
Welche Fertigungs- und Umweltverträglichkeit erfüllt er?
Welche mechanischen Gehäuseabmessungen sind für die Montage relevant?
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