Vishay SQJ190 N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 19.6 A 45 W, 4-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-119
Herst. Teile-Nr.:
SQJ190ELP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SQJ190

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.058Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

5.13mm

Breite

6.22mm

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay in der Kfz-Klasse wurde für ein hocheffizientes Schalten in umgebungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt. Er unterstützt eine Ablassquellenspannung von bis zu 100 V und arbeitet zuverlässig bei Anschlusstemperaturen von bis zu 175 °C. Verpackt in PowerPAK SO-8L, nutzt es die TrenchFET-Technologie für eine optimierte thermische und elektrische Leistung.

AEC Q101 qualifiziert

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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