Vishay SIRA10DDP N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 96 A 43 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-141
Herst. Teile-Nr.:
SIRA10DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

96A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIRA10DDP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0031Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Höhe

1.04mm

Breite

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in PowerPAK SO-8, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), schnelles Schalten und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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