Vishay SQS201CENW Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -100 V / -16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 653-188
Herst. Teile-Nr.:: SQS201CENW-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQS201CENW Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -100 V / -16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK

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Herst. Teile-Nr.:: SQS201CENW-T1_GE3
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-16A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-100V
	Gehäusegröße	PowerPAK
	Serie	SQS201CENW
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0800Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd	62.5W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	3.30mm
	Höhe	0.41mm
	Länge	3.30mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Vishay
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -16A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -100V
	Gehäusegröße PowerPAK
	Serie SQS201CENW
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0800Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd 62.5W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 3.30mm
	Höhe 0.41mm
	Länge 3.30mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SQS201CENW-T1_GE3

Ursprungsland:: CN

Einfache MOSFETs der Serie SQS201CENW von Vishay, -100 V maximale Drain-Source-Spannung, -16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQS201CENW-T1_GE3

Dieser einzelne MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät für Leistungsschaltfunktionen in elektronischen Systemen, insbesondere dort, wo Robustheit in Automobilqualität erforderlich ist. Es wurde für die Leiterplattenmontage in einem PowerPAK-Gehäuse entwickelt und bietet ein Gleichgewicht zwischen Strombelastbarkeit und Spannungsfähigkeit, das für anspruchsvolle industrielle und Fahrzeugsteuerungsumgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• P-Kanal-Gerät, das eine High-Side-Schaltung in Schaltkreisen ermöglicht • 100 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht große Spannungsbereiche • -16 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Belastbarkeit • 0,08 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • 26 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten • 62,5 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung

Anwendungen

• Geeignet für High-Side-Leistungsschaltung in Automobilmodulen • Ideal für den Schutz von Motorantrieben und Steuerkreisen • Wird für Batteriemanagement und Stromverteilungssysteme verwendet • Kann für logische Leistungsstufen in der industriellen Automatisierung verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Die Gate-to-Source-Exkursion darf 20 V nicht überschreiten, um Gerätebelastungen zu vermeiden.

Wie verhält sich das Gerät in der Praxis bei extremen Temperaturen?

Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen, ohne seine Nenngrenzen zu überschreiten.

Welche Packungsaspekte beeinflussen das Leiterplatten-Layout und die Kühlung?

Die 8-polige PowerPAK-Grundfläche beeinflusst die Wärmeleitwege und erfordert ausreichend Leiterplattenkupfer für die Wärmeableitung, um die 62,5-W-Leistungsaufnahmekapazität zu nutzen.

Gibt es spezifische Normen, die die Auswahl für den Einsatz im Automobilbereich beeinflussen?

Er erfüllt die AEC‐Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie, was auf die Eignung für elektronische Fahrzeuganwendungen gemäß dieser Norm hinweist.