Vishay SQS201CENW Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -100 V / -16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-188
Herst. Teile-Nr.:
SQS201CENW-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-100V

Serie

SQS201CENW

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0800Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.30mm

Breite

3.30mm

Höhe

0.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Einfache MOSFETs der Serie SQS201CENW von Vishay, -100 V maximale Drain-Source-Spannung, -16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQS201CENW-T1_GE3


Dieser einzelne MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät für Leistungsschaltfunktionen in elektronischen Systemen, insbesondere dort, wo Robustheit in Automobilqualität erforderlich ist. Es wurde für die Leiterplattenmontage in einem PowerPAK-Gehäuse entwickelt und bietet ein Gleichgewicht zwischen Strombelastbarkeit und Spannungsfähigkeit, das für anspruchsvolle industrielle und Fahrzeugsteuerungsumgebungen geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• P-Kanal-Gerät, das eine High-Side-Schaltung in Schaltkreisen ermöglicht • 100 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht große Spannungsbereiche • -16 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Belastbarkeit • 0,08 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last • 26 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten • 62,5 W Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung

Anwendungen


• Geeignet für High-Side-Leistungsschaltung in Automobilmodulen • Ideal für den Schutz von Motorantrieben und Steuerkreisen • Wird für Batteriemanagement und Stromverteilungssysteme verwendet • Kann für logische Leistungsstufen in der industriellen Automatisierung verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?


Die Gate-to-Source-Exkursion darf 20 V nicht überschreiten, um Gerätebelastungen zu vermeiden.

Wie verhält sich das Gerät in der Praxis bei extremen Temperaturen?


Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen, ohne seine Nenngrenzen zu überschreiten.

Welche Packungsaspekte beeinflussen das Leiterplatten-Layout und die Kühlung?


Die 8-polige PowerPAK-Grundfläche beeinflusst die Wärmeleitwege und erfordert ausreichend Leiterplattenkupfer für die Wärmeableitung, um die 62,5-W-Leistungsaufnahmekapazität zu nutzen.

Gibt es spezifische Normen, die die Auswahl für den Einsatz im Automobilbereich beeinflussen?


Er erfüllt die AEC‐Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie, was auf die Eignung für elektronische Fahrzeuganwendungen gemäß dieser Norm hinweist.

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