DiodesZetex ZVNL120A N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 180 mA 700 mW, 3-Pin E-Line
- RS Best.-Nr.:
- 655-587
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVNL120A
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 655-587
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVNL120A
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | E-Line | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 700 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 4.77mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.41mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 4.01mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 180 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße E-Line | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 700 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 4.77mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.41mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 4.01mm | ||
