ROHM SCT4018KWA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 75 A 267 W, 8-Pin TO-263-7LA

Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in einer Vielzahl von Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V und einem niedrigen Einschaltwiderstand von 18 mΩ optimiert dieser MOSFET die Leistung in hocheffizienten Systemen wie Solarwechselrichtern und Induktionsheizungen. Er bietet ein robustes Wärmemanagement mit einem Sperrschichttemperaturbereich von bis zu 175 °C und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch in anspruchsvollen Umgebungen. Das Gerät verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, die es ideal für Anwendungen macht, die ein Hochfrequenzschalten erfordern, wodurch die Gesamteffizienz und -leistung des Systems verbessert wird.

Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für minimalen Energieverlust während des Betriebs