ROHM AG501EGD3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 80 A 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-359P
- Herst. Teile-Nr.:
- AG501EGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 6.8mm | |
| Länge | 10.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 6.8mm | ||
Länge 10.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in Automobilsystemen und verschiedenen Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -40 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von bis zu -80 A bietet dieses robuste Gerät außergewöhnliche Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen. Mit einem geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 4,9 mΩ sorgt er für minimalen Energieverlust und trägt so zu einer verbesserten Gesamteffizienz und thermischen Leistung des Systems bei. Dieser MOSFET ist außerdem AEC-Q101-qualifiziert, was seine Eignung für Automobilanwendungen unterstreicht, bei denen strenge Normen erfüllt werden müssen.
Geringer Widerstand für geringere Verlustleistung und erhöhte Effizienz
AEC Q101 qualifiziert, um Zuverlässigkeit für Automobil- und kritische Anwendungen zu gewährleisten
Lawinengeprüft, um die Leistung unter dynamischen Bedingungen zu garantieren
Unterstützt eine maximale Verlustleistung von 142 W, kompatibel mit Hochleistungsdesigns
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C für den Einsatz in unterschiedlichen Umgebungen
Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität, die modernen Umweltstandards entspricht
Optimierte Verpackungsspezifikationen, einschließlich eingebetteter Optionen für automatisierte Montage
Garantiert eine Avalanche-Energie-Bewertung, die einen robusten Betrieb bei transienten Ereignissen gewährleistet