ROHM R8019KNZ4 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V 208 W, 3-Pin TO-247

Der N-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für eine hocheffiziente Leistung in elektronischen Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 800 V und einer kontinuierlichen Ablassstromkapazität von 19 A verwaltet dieses Gerät effektiv erhebliche Leistungslasten bei geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand. Mit seinen fortschrittlichen Schaltfunktionen bietet er schnelle Reaktionszeiten, die für einen effizienten Schaltkreisbetrieb unerlässlich sind. Die Kapselung in einem TO-247G-Gehäuse gewährleistet eine einfache Montage und eine hervorragende thermische Leistung, wodurch sie sich ideal für das Energiemanagement in industriellen Systemen bis hin zur Unterhaltungselektronik eignet.

Niedriger Einschaltwiderstand von nur 0,265 Ω, was die Energieeffizienz erhöht