ROHM RF9P120BKFRA N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 12 A 23 W, 6-Pin DFN2020Y7LSAA
- RS Best.-Nr.:
- 687-387
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9P120BKFRATCR
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt sichern
20 weitere Einheiten hinzufügen, um 12% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
2,94 €
(ohne MwSt.)
3,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,47 € | 2,94 € | - |
| 20 - 48 | 1,29 € | 2,58 € | 12% |
| 50 - 198 | 1,165 € | 2,33 € | 20% |
| 200 - 998 | 0,93 € | 1,86 € | 36% |
| 1000 + | 0,92 € | 1,84 € | 37% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-387
- Herst. Teile-Nr.:
- RF9P120BKFRATCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | DFN2020Y7LSAA | |
| Serie | RF9P120BKFRA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.1mm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 650μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße DFN2020Y7LSAA | ||
Serie RF9P120BKFRA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.1mm | ||
Länge 2.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 650μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für effizientes Schalten in verschiedenen Anwendungen entwickelt, einschließlich Automobil, Beleuchtung und Karosserie-Elektronik. Dieses Bauteil wurde für einen robusten Dauerstrom von ±12 A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 100 V entwickelt und eignet sich hervorragend für Umgebungen, die Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern. Sein fortschrittliches Design zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Leistungsdichte aus, die eine optimale Leistung bei gleichzeitiger Einhaltung der AEC-Q101-Normen und RoHS-Vorschriften gewährleistet. Das kompakte DFN2020Y7LSAA-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in platzbeschränkte Designs und macht es zu einer vielseitigen Wahl für moderne elektronische Lösungen.
Qualifiziert nach AEC Q101 für Automobilanwendungen, um Zuverlässigkeit zu gewährleisten
Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)), verbessert die Effizienz während des Betriebs
Unterstützt eine Drain-Source-Spannung von 100 V, geeignet für Hochspannungsanwendungen
Kontinuierlicher Ablassstrom von ±12 A, geeignet für anspruchsvolle Lasten
Pb-freie Beschichtung, die die Einhaltung von Umweltstandards gewährleistet
Halogenfrei, was zu einem umweltfreundlichen Produktdesign beiträgt
Hohe Leistungsdichte mit einer maximalen Verlustleistung von 23 W zur Optimierung der thermischen Leistung