ROHM R8011KNZ4 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V 139 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 687-457
- Herst. Teile-Nr.:
- R8011KNZ4C13
- Marke:
- ROHM
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- R8011KNZ4C13
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | R8011KNZ4 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.45Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 40mm | |
| Höhe | 5.22mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie R8011KNZ4 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.45Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 40mm | ||
Höhe 5.22mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen zu bieten. Mit einer Nennspannung von 800 V und einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 11 A eignet sich dieses Bauteil hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen. Er wurde für schnelles Schalten entwickelt und verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 0,45 Ω, was einen geringen Leistungsverlust und ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Seine robuste Konstruktion gewährleistet die Einhaltung von Umweltstandards, einschließlich RoHS, und macht ihn zu einer praktischen Wahl für moderne elektronische Designs, bei denen Nachhaltigkeit und Leistung im Vordergrund stehen.
Niedriger Einschaltwiderstand gewährleistet effiziente Stromversorgung
Schnelles Schalten optimiert die Leistung bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen
Die robuste Konstruktion unterstützt den parallelen Einsatz und erhöht die Designflexibilität
Erfüllt die RoHS-Normen und trägt zu umweltfreundlichen Designs bei
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen
Der thermische Widerstand bietet ein hervorragendes Wärmemanagement in kompakter Bauweise
Effektive Gate-Ladeeigenschaften ermöglichen eine einfachere Integration in bestehende Schaltungen
Vielseitige Anwendungen in der Industrie, im Automobilbereich und in der Unterhaltungselektronik