ROHM R8011KNZ4 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V 139 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 20 Stück (geliefert in Schale)*

74,20 €

(ohne MwSt.)

88,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
20 - 983,71 €
100 - 1983,33 €
200 +2,62 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
687-457P
Herst. Teile-Nr.:
R8011KNZ4C13
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

R8011KNZ4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

16.24mm

Höhe

5.22mm

Länge

40mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen zu bieten. Mit einer Nennspannung von 800 V und einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 11 A eignet sich dieses Bauteil hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen. Er wurde für schnelles Schalten entwickelt und verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 0,45 Ω, was einen geringen Leistungsverlust und ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Seine robuste Konstruktion gewährleistet die Einhaltung von Umweltstandards, einschließlich RoHS, und macht ihn zu einer praktischen Wahl für moderne elektronische Designs, bei denen Nachhaltigkeit und Leistung im Vordergrund stehen.

Niedriger Einschaltwiderstand gewährleistet effiziente Stromversorgung

Schnelles Schalten optimiert die Leistung bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Die robuste Konstruktion unterstützt den parallelen Einsatz und erhöht die Designflexibilität

Erfüllt die RoHS-Normen und trägt zu umweltfreundlichen Designs bei

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen

Der thermische Widerstand bietet ein hervorragendes Wärmemanagement in kompakter Bauweise

Effektive Gate-Ladeeigenschaften ermöglichen eine einfachere Integration in bestehende Schaltungen

Vielseitige Anwendungen in der Industrie, im Automobilbereich und in der Unterhaltungselektronik

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.