ROHM RH7G04CBJFRA Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 62 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*

1,64 €

(ohne MwSt.)

1,96 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
2 - 180,82 €1,64 €
20 - 480,725 €1,45 €
50 - 1980,65 €1,30 €
200 - 9980,52 €1,04 €
1000 +0,51 €1,02 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
687-463
Herst. Teile-Nr.:
RH7G04CBJFRATCB
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Serie

RH7G04CBJFRA

Gehäusegröße

DFN3333T8LSAB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.4 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde entwickelt, um außergewöhnliche Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu liefern. Dieses Bauteil wurde speziell für hocheffizientes Schalten entwickelt und eignet sich daher ideal für Automobil-, Beleuchtungs- und andere hochzuverlässige Systeme. Mit seinen robusten thermischen Eigenschaften, einschließlich einer maximalen Verlustleistung von 62 W und einem beeindruckenden kontinuierlichen Ablassstrom von ±40 A, gewährleistet der RH7G04CBJFRA einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Darüber hinaus verfügt dieser MOSFET über fortschrittliche Funktionen wie Avalanche-Prüfung und AEC-Q101-Qualifikation, die Sicherheit und Langlebigkeit in kritischen Umgebungen garantieren.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 17,7 mΩ für mehr Effizienz

Liefert einen maximalen gepulsten Ablassstrom von ±80 A, der Hochleistungsanwendungen ermöglicht

Benetzbare Flanken für erhöhte Zuverlässigkeit der Lötverbindung

Bietet eine robuste thermische Beständigkeit, um die Leistung unter schweren Lasten aufrechtzuerhalten

Funktioniert effektiv in einem weiten Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C

Umfasst eine 100 % Avalanche-Testspezifikation für erhöhte Sicherheit

Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen, einschließlich ADAS und Kfz-Beleuchtung

Mit detaillierten Verpackungsspezifikationen für eine benutzerfreundliche Integration

Verwandte Links