ROHM RD3G08DBKHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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Herst. Teile-Nr.:
RD3G08DBKHRBTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

RD3G08DBKHRB

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

76W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Höhe

2.3mm

Länge

10.5mm

Breite

6.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die einen überragenden Wirkungsgrad und eine hohe Stromkapazität erfordern. Dieser MOSFET wurde für den Betrieb mit 40 V mit einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A entwickelt und bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung unter verschiedenen Betriebsbedingungen. Darüber hinaus minimiert sein niedriger Einschaltwiderstand von 4,1 mΩ die Energieverluste und gewährleistet eine optimale thermische Leistung und eine Verlustleistung von bis zu 76 W, was es zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen im Automobil- und Industriebereich macht.

Niedriger Einschaltwiderstand für geringere Energieverluste während des Betriebs

Hohe kontinuierliche Ablassstromfähigkeit von 80 A für robuste Leistung

Verlustleistung von 76 W für zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung

Lawinenstrom von 30 A, der eine lange Lebensdauer bei transienten Bedingungen gewährleistet

AEC Q101-Qualifikation für Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen

RoHS-konform mit bleifreier Beschichtung, die den Umweltstandards entspricht

Umfasst Verpackungsspezifikationen wie geprägtes Band für eine effiziente Handhabung

Mehrere Spannungswerte für verschiedene Schaltungsdesigns

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