ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes und zuverlässiges Energiemanagement in Automobilsystemen entwickelt. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -30 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von bis zu 78 A ist dieses Gerät ideal für anspruchsvolle Anwendungen, die eine robuste Leistungsaufnahme erfordern. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 8,5 mΩ minimiert den Leistungsverlust und trägt zu einer verbesserten thermischen Effizienz bei. Darüber hinaus ist der MOSFET nach den AEC-Q101-Normen qualifiziert, wodurch sichergestellt wird, dass er die strengen Anforderungen der Automobilindustrie an Langlebigkeit und Leistung erfüllt. Mit seinen hervorragenden Avalanche-Eigenschaften und einem weiten Betriebstemperaturbereich gewährleistet der AG502EED3HRB eine gleichbleibende Leistung unter verschiedenen Bedingungen.

Robuste Konstruktion mit AEC Q101-Qualifikation für Automobilanwendungen