ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 4.5 A 17 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-488P
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3N045ATTL1
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N045AT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.5mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 6.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N045AT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.5mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 6.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen entwickelt. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von -80 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von -4,5 A bietet dieser MOSFET eine hervorragende elektrische Leistung für anspruchsvolle Umgebungen. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand von 650 mΩ maximiert den Wirkungsgrad und minimiert die Wärmeentwicklung, was zu einer überragenden Gesamtzuverlässigkeit beiträgt. Der RD3N045AT ist RoHS-konform und verfügt über ein robustes TO-252-Gehäuse, das sich ideal für Motorantriebe und andere Schaltanwendungen eignet und einen robusten Betrieb in Szenarien mit hoher Leistung gewährleistet. Das Gerät wird streng auf die Zuverlässigkeit des Gates geprüft und ist außerdem halogenfrei, was umweltfreundliche Praktiken unterstützt.
Niedriger Einschaltwiderstand von 650 mΩ erhöht die Effizienz und reduziert Leistungsverluste
Bietet eine hohe Leistungsaufnahme mit einer maximalen Verlustleistung von 17 W
Ausgelegt für eine maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C, die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet
Impuls-Ablassstromkapazität von ±9 A unterstützt Anwendungen mit transienten Lasten
Gate-Source-Spannungstoleranz von ±20 V ermöglicht flexible Schaltungsentwürfe
Ideal für Motorantriebsanwendungen zur Verbesserung der Leistung von Elektromotoren
RoHS-konforme Konstruktion fördert ökologische Nachhaltigkeit
Geprüft auf 100 % Rg und UIS, um eine robuste Langzeitleistung zu gewährleisten
