DiodesZetex DMN3023L N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.2 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 718-542
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3023L-7
- Marke:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,119 € | 357,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 718-542
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3023L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN3023L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 68mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 2.5mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN3023L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 68mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 2.5mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für effiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Seine fortschrittliche Struktur minimiert den Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, bei denen Energieeffizienz von größter Bedeutung ist. Mit ausgezeichneten Schaltvermögen und minimaler Gate-Schwellenspannung bietet dieser MOSFET eine zuverlässige Leistung sowohl in elektronischen Unterhaltungselektronikgeräten als auch in industriellen Geräten. Das Produkt ist RoHS-konform und verfügt über einen ESD-Schutz, der Sicherheit und Langlebigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen gewährleistet.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 25 mΩ bei VGS = 10 V für geringeren Leistungsverlust
Niedrige Gate-Schwellenspannung verbessert die Kompatibilität mit Niederspannungs-Steuersignalen
Schnelle Schaltgeschwindigkeit unterstützt effektiv Hochfrequenzanwendungen
ESD-geschütztes Gate sorgt für Gerätesicherheit unter dynamischen Bedingungen
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform für ökologische Sicherheit
Halogen- und antimonfrei, was zur Einstufung als "grünes" Gerät beiträgt
Qualifiziert nach AEC-Q101-Standards, sorgt für hohe Zuverlässigkeit für Kfz-Anwendungen
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