DiodesZetex DMN67D7L N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 210 mA 570 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 719-517
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN67D7L-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN67D7L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 210mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMN67D7L | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 40V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 821pC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 570mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.5mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMN67D7L | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 40V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 821pC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 570mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.5mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET, speziell für Power-Management-Anwendungen entwickelt. Es minimiert effektiv den Widerstand im eingeschalteten Zustand und gewährleistet eine überlegene Schaltleistung. Dieses robuste Gerät ist für leistungsstarke und energieeffiziente Designs optimiert und eignet sich daher für verschiedene Anwendungen einschließlich Motorsteuerung. Seine niedrige Gate-Schwellenspannung und seine schnelle Schaltgeschwindigkeit erhöhen die Vielseitigkeit in einer Vielzahl von elektronischen Projekten weiter.
Ausgelegt für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 60 V, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten
Geeignet für den Einsatz bei hohen Temperaturen mit einem maximalen Gehäusediodestrom von 500 mA
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Schaltkreisreaktion
Vollständig konform mit den RoHS-Richtlinien, unterstützt umweltfreundliches Design
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1 sorgt für einfache Handhabung während der Montage
Entwickelt für bleifreie, halogenfreie Produktion, in Übereinstimmung mit den Industriestandards für grüne Komponenten