DiodesZetex DMG2301L P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -3 A 1.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 719-543
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG2301L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
123,00 €
(ohne MwSt.)
147,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,041 € | 123,00 € |
| 15000 + | 0,04 € | 120,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 719-543
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG2301L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMG2301L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.55mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMG2301L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.55mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex Robust P-Kanal-Verstärkungsmodus MOSFET wurde für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Dieses Gerät wurde entwickelt, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erreichen und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu gewährleisten, womit es ideal für den Einsatz in Kfz-Anwendungen, DC/DC-Wandlern und Motorsteuerungsstromkreisen ist. Mit dem Fokus auf Umweltfreundlichkeit ist es halogen- und antimonfrei, vollständig konform mit RoHS-Standards.
Niedriger Einschaltwiderstand für effiziente Stromverarbeitung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit optimiert die Leistung in Stromverwaltungsanwendungen
Der kontinuierliche Ablassstrom von -3 A sorgt für eine robuste Leistung unter Lastbedingungen
Vollständig bleifrei und erfüllt die EU-Richtlinien für umweltfreundliches Design
SMatte verzinnte Anschlussklemmen sorgen für gute Lötbarkeit und Verbindungsintegrität
Leichte Bauweise von ca. 0,008 Gramm erhöht die Effizienz in kompakten Geräten
