DiodesZetex DMP3013SFV P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -35 A 31 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 719-554
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3013SFV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMP3013SFV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Höhe | 850μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Serie DMP3013SFV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Höhe 850μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 30V P-Kanal-Verstärkungsmodus MOSFET, entwickelt, um eine überlegene Schaltleistung zu bieten und gleichzeitig den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Die kompakte PowerDI3333-8-Verpackung ist thermisch effizient und ermöglicht eine höhere Dichte in Endprodukten. Dieser MOSFET eignet sich besonders für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen und bietet erhebliche Vorteile in Bezug auf Designflexibilität und Platzoptimierung.
Kleiner Formfaktor reduziert die Platinenfläche um 33 % im Vergleich zu SO-8-Gehäusen
Wärmeeffizientes Design ermöglicht eine höhere Dichte in Endprodukten
ESD-geschütztes Gate erhöht die Zuverlässigkeit in empfindlichen Anwendungen
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform, um die Umweltsicherheit zu gewährleisten
Halogen- und antimonfrei, was es zu einem "grünen" Gerät macht
Das Gewicht beträgt ca. 0,03 Gramm, was leichte Designs erleichtert
Erfüllt die UL-Entflammbarkeitsklasse von 94V-0 für erhöhte Sicherheit
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