STMicroelectronics STS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 719-621
- Herst. Teile-Nr.:
- STS10N3LH5
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STS10N3LH5
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | STS | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie STS | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Die STripFETTMV-Leistungs-MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell darauf zugeschnitten wurden, einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen und gleichzeitig einen der besten FOMs in ihrer Klasse zu bieten.
Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)
Sehr geringe Schaltgate-Ladung
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringe Leistungsverluste bei Gate-Antrieb
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