STMicroelectronics STS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
719-621
Herst. Teile-Nr.:
STS10N3LH5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

STS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.021Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.75mm

Breite

4mm

Länge

5mm

Die STripFETTMV-Leistungs-MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell darauf zugeschnitten wurden, einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen und gleichzeitig einen der besten FOMs in ihrer Klasse zu bieten.

Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)

Sehr geringe Schaltgate-Ladung

Hohe Lawinenbeständigkeit

Geringe Leistungsverluste bei Gate-Antrieb

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