STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 47 W, 2-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
719-637
Herst. Teile-Nr.:
SGT350R70GTK
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

P-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

G-HEMT

Montageart

SMD

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Gate-Source-spannung max Vgs

-1.4 to 7 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.4mm

Länge

6.2mm

Breite

6.7 mm

Ursprungsland:
CN