Microchip N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V / 81 A, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 723-570
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC025SMB120B4N
- Marke:
- Microchip
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
14,35 €
(ohne MwSt.)
17,08 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 14,35 € |
| 5 + | 14,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 723-570
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC025SMB120B4N
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 81A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 1200-V-N-Kanal-MOSFET von Microchip bietet niedrige Kapazitäten und Gate-Ladung und gewährleistet dank des geringen internen Gate-Widerstands eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Es bietet eine schnelle und zuverlässige Body-Diode sowie eine überragende Avalanche-Robustheit, was es zu einer robusten Wahl für Hochleistungsanwendungen macht. Es ist RoHS-konform und erfüllt Umweltstandards.
Bietet niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
Bietet eine schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen internen Gate-Widerstands
Sorgt für eine schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Bietet überlegene Avalanche-Robustheit
RoHS-konform für Umweltsicherheit
