Vishay SIHB21N80AE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 735-129
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
3,43 €
(ohne MwSt.)
4,08 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,43 € |
| 10 - 49 | 2,12 € |
| 50 - 99 | 1,66 € |
| 100 + | 1,37 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-129
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB21N80AE-T5-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | SIHB21N80AE | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.205Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 0.355mm | |
| Länge | 0.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie SIHB21N80AE | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.205Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 0.355mm | ||
Länge 0.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine robuste Leistung in Stromversorgungen und eignet sich für anspruchsvolle Anwendungen in Server- und Telekommunikationsumgebungen. Es wurde entwickelt, um das Energiemanagement zu optimieren und Verluste zu minimieren.
Niedrige effektive Kapazität, die zu schnelleren Reaktionszeiten beiträgt
Einzelne Konfiguration optimiert Design und Integration
Verwandte Links
- Vishay SIHB21N80AE N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHB22N60EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHB125N60EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SiHW21N80AE Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay SiHG21N80AE Typ N-Kanal 3-Pin TO-247