Vishay SIHB21N80AE N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
735-129
Herst. Teile-Nr.:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SIHB21N80AE

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.205Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.355mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

0.42mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine robuste Leistung in Stromversorgungen und eignet sich für anspruchsvolle Anwendungen in Server- und Telekommunikationsumgebungen. Es wurde entwickelt, um das Energiemanagement zu optimieren und Verluste zu minimieren.

Niedrige effektive Kapazität, die zu schnelleren Reaktionszeiten beiträgt

Einzelne Konfiguration optimiert Design und Integration

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