Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 126 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-164
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR510DP
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
2,38 €
(ohne MwSt.)
2,83 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 24. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,38 € |
| 10 - 24 | 1,55 € |
| 25 - 99 | 0,85 € |
| 100 - 499 | 0,84 € |
| 500 + | 0,83 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-164
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR510DP
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 126A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0036Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 100V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2mm | |
| Länge | 7mm | |
| Breite | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 126A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0036Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 100V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2mm | ||
Länge 7mm | ||
Breite 6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen
94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C
54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten
Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
Verwandte Links
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SiR N-Kanal 8-Pin PowerPAK SO-8