Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 90 W, 10-Pin PowerPack
- RS Best.-Nr.:
- 735-276
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ186ELR-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPack | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0296Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 7.5mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPack | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0296Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 7.5mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
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