Infineon Halbbrücke XHP 2 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET-Module 1200 V Erweiterung / 395 A 2300 W, 15-Pin

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RS Best.-Nr.:
762-897
Herst. Teile-Nr.:
FF1MR12KM1HSHPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET-Module

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

395A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

XHP 2

Gehäusegröße

AG-62MMHB

Montageart

Schraubanschlussklemme

Pinanzahl

15

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2300W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.6μC

Gate-Source-spannung max Vgs

-23V

Durchlassspannung Vf

6.25V

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Breite

61.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

106.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
HU
Das Infineon CoolSiC Trench MOSFET-Halbbrückenmodul verfügt über eine Nennspannung von 1200 V und unterstützt eine hohe Stromdichte. Es eignet sich für USV-Systeme, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschaltanwendungen, Solaranwendungen, Energiespeichersysteme (ESS) und DC-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.

Geringe Schaltverluste

Hohe Stromdichte

Qualifiziert für industrielle Anwendungen

4 kV AC 1 min Isolierung

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