Infineon CoolSiC N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 74 A 187 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 762-921
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R075M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 15.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 15.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolSiC MOSFET von Infineon bietet unvergleichliche Leistung, überlegene Zuverlässigkeit und hohe Benutzerfreundlichkeit. Es ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, um den ständig wachsenden System- und Marktanforderungen gerecht zu werden.
Extrem niedrige Schaltverluste
Erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit des Systems
Erleichtert die einfache Bedienung und Integration
Reduziert die Größe, das Gewicht und die Materialmenge der Systeme
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