ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 240 A 192 W, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD

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Herst. Teile-Nr.:
RJ1L10BBGTL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263AB-3LSHYAD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.41mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Verlustleistung Pd

192W

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.36mm

Breite

8.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

4.77mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM bietet eine leistungsstarke N-Kanal-Schaltung für Hochstrom-Leistungsmanagement. Dieses robuste Gerät wurde für Motorantriebe und DC/DC-Wandler entwickelt und gewährleistet eine außergewöhnliche Effizienz in anspruchsvollen industriellen Schaltkreisen.

Drain-Quellenspannung von 60 V

Kontinuierlicher Ablassstrom von 105 A

Extrem niedriger typischer Einschaltwiderstand von 1,85 mΩ

Hohe Verlustleistung von 192 W

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