ROHM P-Kanal, Oberfläche MOSFET -40 V / 3 A 1 W, 3-Pin SOT-346T
- RS Best.-Nr.:
- 780-363P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5L030ATTCL
- Marke:
- ROHM
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- RQ5L030ATTCL
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | SOT-346T | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße SOT-346T | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM bietet eine leistungsstarke P-Kanal-Schaltung für das Niederspannungs-Leistungsmanagement. Dieses kompakte Gerät wurde für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb entwickelt und gewährleistet eine effiziente Leistung in platzbeschränkten Layouts.
Drain-Quellenspannung von -60 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von -3,0 A
Hochgeschwindigkeitsschaltleistung
Kompaktes TSMT3-Gehäuse für Oberflächenmontage
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