ROHM P-Kanal, Oberfläche MOSFET -80 V / 7 A 14 W, 8-Pin HSMT

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Herst. Teile-Nr.:
RQ3N025ATTB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

P-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-80V

Gehäusegröße

HSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Verlustleistung Pd

14W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Länge

3.45mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarkes P-Kanal-Schalten für Motorantrieb und Leistungsmanagement. Dieses robuste Gerät wurde für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb entwickelt und gewährleistet eine effiziente Leistung in anspruchsvollen DC/DC-Wandlern.

Drain-Quellenspannung von -30 V

Kontinuierlicher Ablassstrom von -13 A

Hochgeschwindigkeitsschaltleistung

Kompaktes TSMT6-Gehäuse für Oberflächenmontage

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