Vishay MaxSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 41 A 221 W, 7-Pin TO-263-7L
- RS Best.-Nr.:
- 790-412
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A063SE-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | MaxSiC | |
| Gehäusegröße | TO-263-7L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 79mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 221W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.28mm | |
| Länge | 9.23mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie MaxSiC | ||
Gehäusegröße TO-263-7L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 79mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 221W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.28mm | ||
Länge 9.23mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der Hochleistungs-N-Kanal-SiC-MOSFET von Vishay wurde für effizientes Energiemanagement in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Es zeichnet sich durch seine Fähigkeit aus, hohe Spannungen zu bewältigen und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Gesamtleistung des Systems
Kurzschlussfestigkeit von 3 μs gewährleistet Zuverlässigkeit bei Fehlern
Der Betriebsspannungsbereich für die Gate-Source-Steuerung optimiert die Flexibilität
Kontinuierliche Ablassstromfähigkeit unterstützt eine robuste Energieübertragung