Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche Kfz-MOSFET MOSFET 200 V / 25 A 150 W, 8-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 790-426
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ190E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Kfz-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Kfz-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay bietet robuste Leistung für Automobilanwendungen und wurde entwickelt, um hohe Ströme und Spannungen effizient zu bewältigen. Seine fortschrittliche Konstruktion gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Ausgelegt für eine Drain-Source-Spannung von 200 V
AEC Q101-qualifiziert für Automobilstandards
Geeignet für kontinuierliche Ablassströme von bis zu 95 A
Unterstützt eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
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