Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 375 A 375 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
851-495
Herst. Teile-Nr.:
SIHG033N60SF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

101nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Höhe

1mm

Breite

5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde für Hochleistungs-Schaltanwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Diese Komponente verfügt über eine schnelle Body-Diode-Technologie, wodurch sie für anspruchsvolle Spannungs- und Strombedingungen geeignet ist.

Die Technologie der neuesten Generation der SF-Serie erhöht die Langlebigkeit der Leistung

Niedrige Leistungsanzeige sorgt für einen effizienten Betrieb

Avalanche-Energie-zertifiziert, gewährleistet Robustheit unter extremen Bedingungen

Materialkategorisierung hilft bei der Einhaltung von Vorschriften in verschiedenen Anwendungen

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