STMicroelectronics Erweiterungsmodus STL N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET 80 V N / 181 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 898-600
- Herst. Teile-Nr.:
- STL180N8F8
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 181A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | STL | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Erweiterungsmodus | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | ECOPACK2 | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 5.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 181A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie STL | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Erweiterungsmodus | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen ECOPACK2 | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 5.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur entwickelt. Er gewährleistet eine hochmoderne Leistungsanzeige für einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bei gleichzeitiger Reduzierung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.
Klasse MSL1
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung
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