STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW13NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 103-1573
Herst. Teile-Nr.:: STW13NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW13NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 103-1573
Herst. Teile-Nr.:: STW13NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	13 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	700 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	350 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	15.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	190 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.15mm
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STW13NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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