STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STB25N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 19,5 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
103-2010
Herst. Teile-Nr.:
STB25N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

19,5 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

260 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

8.95mm

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Höhe

4.4mm

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics