onsemi NTF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.6 A 2.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 103-5069
- Herst. Teile-Nr.:
- NTF2955T1G
- Marke:
- onsemi
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| 1000 + | 0,438 € | 438,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 103-5069
- Herst. Teile-Nr.:
- NTF2955T1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTF | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.57mm | |
| Breite | 3.5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTF | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.57mm | ||
Breite 3.5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CZ
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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