Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 215 W, 4-Pin SOT-669

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RS Best.-Nr.:
103-8122
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R2-30YLC,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

215W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.1 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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