Nexperia PSMN1R2-30YLC,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 215 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

RS Best.-Nr.:: 103-8122
Herst. Teile-Nr.:: PSMN1R2-30YLC,115
Marke:: Nexperia

Nexperia PSMN1R2-30YLC,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 215 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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RS Best.-Nr.:: 103-8122
Herst. Teile-Nr.:: PSMN1R2-30YLC,115
Marke:: Nexperia

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: PH

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	LFPAK, SOT-669
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	1,65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.95V
Gate-Schwellenspannung min.	1.05V
Verlustleistung max.	215 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.1mm
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	78 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm