STMicroelectronics LET9045F N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 9 A 108 W, 3-Pin M250
- RS Best.-Nr.:
- 110-6374
- Herst. Teile-Nr.:
- LET9045F
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 110-6374
- Herst. Teile-Nr.:
- LET9045F
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Gehäusegröße | M250 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 108 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -0,5 V, +15 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +200 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 6.09mm | |
| Länge | 9.91mm | |
| Höhe | 3.94mm | |
| Leistungsverstärkung | 17,7 dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Gehäusegröße M250 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 108 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -0,5 V, +15 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +200 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 6.09mm | ||
Länge 9.91mm | ||
Höhe 3.94mm | ||
Leistungsverstärkung 17,7 dB | ||