Infineon TEMPFET BTS282ZE3180AATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 49 V / 80 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7112
Herst. Teile-Nr.:
BTS282ZE3180AATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

49 V

Gehäusegröße

D2PAK-7

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

9,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

155 nC @ 10 V

Länge

10mm

Serie

TEMPFET

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Höhe

4.4mm

RoHS Status: Nicht zutreffend