Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70

RS Best.-Nr.:: 110-7113P
Herst. Teile-Nr.:: BSS816NWH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:: 110-7113P
Herst. Teile-Nr.:: BSS816NWH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Gehäusegröße	SC-70
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	240mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	-8, +8V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.6nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.8mm
	Länge	2mm
	Breite	1.25mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie OptiMOS 2
	Gehäusegröße SC-70
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs -8, +8V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.8mm
	Länge 2mm
	Breite 1.25mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS816NWH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Niederspannungsschaltung in Kfz- und industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen ein geringer Platzbedarf und eine geringe Leistungsaufnahme erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 240 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Maximaler Ablassstrom von 1,4 A ermöglicht mäßiges Lastschalten
• Die Drain-Source-Nennspannung von 20 V unterstützt typische Kfz-Schienen
• Gate-Ladung 0,6 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Ansteuerung und reduzierte Schaltverluste
• Die Verlustleistung von 500 mW ermöglicht einen dauerhaften Betrieb unter leichter Last
• Gate-Source-Grenzwert von 8 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Schaltstufen in Kfz-Sensormodulen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in 12-V-Hilfsstromkreisen
• Wird mit Batteriemanagement-Peripheriegeräten verwendet, die eine geringe Abmessung erfordern
• Kann zur Steuerung der Signalpegelleistung in Infotainment-Systemen verwendet werden
• Anwendbar für kompakte Motorantriebs-Gate-Stufen für niedrige Ströme

Welches Gehäuse eignet sich für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte?

Er wird in einem oberflächenmontierten SC-70-Gehäuse geliefert, das die Platinenfläche minimiert und die automatische Platzierung unterstützt.

Wie verhält es sich bei hohen Umgebungstemperaturen?

Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen, die typisch für Autohauben-Standorte sind.

Welcher Antriebsspannungsbereich sollte auf das Gate angewendet werden?

Die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 8 V, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben.

Wie balanciert das Gerät die Schaltgeschwindigkeit und die Gate-Antriebsenergie?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 0,6 nC benötigt er relativ wenig Energie zum Schalten, was die Effizienz in Systemen mit sich wiederholenden Übergängen erhöht.