Infineon CoolMOS C6 IPD65R250C6XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 16 A 208,3 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7125
Herst. Teile-Nr.:
IPD65R250C6XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

16 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

590 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

208,3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

44 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS C6

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Höhe

2.41mm