Infineon OptiMOS IPB80N06S2L07ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 210 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7147
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N06S2L07ATMA3
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

210 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.31mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

95 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.45mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.57mm

Serie

OptiMOS

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V