Infineon OptiMOS 3 IPB035N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 214 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7150
Herst. Teile-Nr.:
IPB035N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

214 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

88 nC bei 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

4.57mm

RoHS Status: Ausgenommen