Infineon CoolMOS CE IPD80R1K4CE N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 3,9 A 63 W, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7159
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K4CE
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,9 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-252

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

63 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

CoolMOS CE

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.41mm

RoHS Status: Ausgenommen